我公司“2-6英寸SiC晶体生长炉”成功入选第七批北京市新技术新产品

       近日，北京市科学技术委员会发布了第七批北京市新技术新产品（服务）入选结果，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）产品：“2-6英寸SiC晶体生长炉”成功入选。

      新技术新产品（服务）是指企业、高等学校、科研院所和各类社会组织通过原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新等方式取得，技术先进，产权明晰，质量可靠，市场前景广阔的产品（服务）。认定评审工作由市科委、市发展改革委、市经济信息化委、市住房城乡建设委、市质监局、中关村管委会组成新技术新产品（服务）认定小组（以下简称“认定小组”），经过材料初审，会议评审、公示等环节最终完成，确定认定名单。此项工作旨在推动新技术新产品（服务）应用，服务经济发展、城市建设和民生改善，发挥市场端拉动作用，提升全社会自主创新能力。经认定的新技术新产品（服务），可享受政府采购和推广应用等政策支持。

      此次天科合达入选的产品“2-6英寸SiC晶体生长炉”属于高端装备制造，广泛应用于汽车充电桩、新能源汽车、轨道交通、智能电网及5G通讯等领域。天科合达自主设计的晶体生长炉，采用单室立式双层水冷不锈钢结构，可用于生长SiC单晶。由炉体、炉盖、传动系统、电极组件、真空获得及测量系统、控压系统、水路系统、自控系统等组成。独特的线圈内置式设计使得单晶炉稍作改造就可以生产2-6英寸不同直径的晶体。采用自行设计的压力自动控制装置，能够对SiC单晶生长过程中真空室内惰性气体压力进行自动控制。相关技术已获二十余项国家及国际发明专利授权。‌

      SiC半导体材料和核心设备是发展SiC基电力电子器件和微波功率器件的基础与关键。同时SiC作为GaN（氮化镓）微波器件的理想衬底也将提升SiC半导体材料和核心设备研发及国产化的迫切性。SiC半导体材料制备设备长期受到国外的技术垄断与限制，进口设备价格昂贵，且宽禁带半导体材料和核心设备领域尚未形成统一的行业标准。天科合达立足于自主技术创新，解决了SiC单晶生长炉设计及相关工艺难题，同时基于自主研制的单晶炉开发出满足高性能器件要求的SiC材料，并得到了下游大量工业客户和研究机构的验证和应用，天科合达目前已成为亚太地区规模最大的SiC晶片制造商。牵头制定了3项国家标准，其中包含目前国内唯一的一项SiC产品标准。 此次SiC材料核心装备入选新技术新产品认定是对公司技术创新研发成果的又一次肯定，用完全自有知识产权的“2-6英寸SiC晶体生长炉”生长的大尺寸SiC晶片此前就已经成功入选北京市第六批“新技术新产品”认定。