SiC单晶生长炉

自主研发设计第五代的SiC单晶生长设备，可满足6到8寸导电及半绝缘型碳化硅单晶的生长制备。采用单室立式双层水冷不锈钢结构，由炉膛、真空获得及测量系统、坩埚杆拉送系统、感应加热系统、电控系统、中频电源等组成。可根据客户对单晶生长设备特殊要求进行产品定制，并提供基础碳化硅单晶生长技术支持。