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SiC单晶生长炉

发布时间: 2018/09/06 13:05,类别: Product

自主研发设计的SiC单晶生长设备,可用于4到6寸导电及半绝缘型碳化硅单晶的生长制备。采用单室立式双层水冷不锈钢结构,由炉膛、真空获得及测量系统、坩埚杆拉送系统、感应加热系统、电控系统、中频电源等组成。可根据客户对单晶生长设备特殊要求进行产品定制,并提供基础碳化硅单晶生长技术支持。

单晶炉.jpg

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